Crosstalk in Modern On-Chip Interconnects: A FDTD Approach

ویرایش: [1 ed.] 
نویسندگان: B.K. Kaushik,  V. Ramesh Kumar,  Amalendu Patnaik (auth.)  
سری: SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology 
ISBN (شابک) : 9789811007996, 9789811008009 
ناشر: Springer Singapore 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: XV, 116
[126] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 49,000



این کتاب مدل‌های دقیق FDTD را برای اتصالات درون تراشه‌ای ارائه می‌کند که آخرین پیشرفت‌ها در مواد و طراحی را پوشش می‌دهد. علاوه بر این، بسته به هندسه و پیکربندی‌های فیزیکی، مدل‌های معادل الکتریکی مختلف برای اتصالات مبتنی بر CNT و GNR ارائه می‌شود. بر اساس مدل‌های معادل الکتریکی، مقایسه عملکرد بین اتصالات مبتنی بر Cu، CNT و GNR نیز در کتاب مورد بحث قرار گرفته‌است. مدل‌های پیشنهادی با شبیه‌سازی HSPICE تأیید می‌شوند.

این کتاب سناریوی تحقیقاتی فعلی را در مدل‌سازی اتصالات درون تراشه معرفی می‌کند. این ساختار، خواص، و ویژگی های گرافن مبتنی بر اتصالات داخلی تراشه و مدل سازی FDTD از Cu بر اساس اتصالات بر روی تراشه را ارائه می دهد. این مدل اثرات غیر خطی درایور CMOS و همچنین اثرات خط انتقال خط اتصال را در نظر می گیرد که شامل خازن جفت و اثرات اندوکتانس متقابل است. به شیوه ای واقعی تر، مدل پیشنهادی شامل اثر MFP وابسته به عرض MLGNR در حالی که زبری لبه را در نظر می گیرد.

The book provides accurate FDTD models for on-chip interconnects, covering most recent advancements in materials and design. Furthermore, depending on the geometry and physical configurations, different electrical equivalent models for CNT and GNR based interconnects are presented. Based on the electrical equivalent models the performance comparison among the Cu, CNT and GNR-based interconnects are also discussed in the book. The proposed models are validated with the HSPICE simulations.

The book introduces the current research scenario in the modeling of on-chip interconnects. It presents the structure, properties, and characteristics of graphene based on-chip interconnects and the FDTD modeling of Cu based on-chip interconnects. The model considers the non-linear effects of CMOS driver as well as the transmission line effects of interconnect line that includes coupling capacitance and mutual inductance effects. In a more realistic manner, the proposed model includes the effect of width-dependent MFP of the MLGNR while taking into account the edge roughness.