ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Fundamentals of Tunnel Field-Effect Transistors

دانلود کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

Fundamentals of Tunnel Field-Effect Transistors

مشخصات کتاب

Fundamentals of Tunnel Field-Effect Transistors

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 1498767133, 9781498767132 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 0 
زبان: English 
فرمت فایل : EPUB (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 39,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب Fundamentals of Tunnel Field-Effect Transistors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدان تونلی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدان تونلی



در طول دهه گذشته، علاقه زیادی به TFET ها وجود داشته است. با توجه به بهترین دانش نویسندگان، در حال حاضر هیچ کتابی در مورد TFET وجود ندارد. کتاب پیشنهادی درک اساسی از TFET ها را در اختیار خوانندگان قرار می دهد. ویژگی های جالب TFET ها را توضیح می دهد، به نقاط قوت و ضعف آنها اشاره می کند، و تکنیک های جدیدی را توصیف می کند که می توان برای غلبه بر این نقاط ضعف و بهبود ویژگی های آنها به کار برد. معاوضه های مختلفی که می توان در طراحی TFET ایجاد کرد نیز برجسته شده است. علاوه بر این، این کتاب فایل‌های نمونه شبیه‌سازی TFET را ارائه می‌کند که می‌توان با استفاده از یک شبیه‌ساز دستگاه تجاری اجرا کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

During the last decade, there has been a great deal of interest in TFETs. To the best authors’ knowledge, no book on TFETs currently exists. The proposed book provides readers with fundamental understanding of the TFETs. It explains the interesting characteristics of the TFETs, pointing to their strengths and weaknesses, and describes the novel techniques that can be employed to overcome these weaknesses and improve their characteristics. Different tradeoffs that can be made in designing TFETs have also been highlighted. Further, the book provides simulation example files of TFETs that could be run using a commercial device simulator.



فهرست مطالب

Content: Cover
Half Title
Title Page
Copyright Page
Dedication
Table of Contents
Preface
1: CMOS Scaling
1.1 Introduction
1.2 Basics of MOSFET and CMOS
1.2.1 MOSFET Structure and Operation
1.2.2 Operation of MOSFET as a Switch
1.2.3 Short-Channel Effects in a MOSFET
1.2.4 CMOS Inverter
1.2.5 Power Dissipation in a CMOS Circuit
1.3 CMOS Scaling
1.4 Types of CMOS Scaling
1.4.1 Constant-Field Scaling
1.4.2 Constant-Voltage Scaling
1.5 Historical Perspective of CMOS Scaling
1.6 Current Trends in CMOS Scaling
1.7 Challenges in Continued CMOS Scaling
1.8 Emerging Research Devices. 1.9 Summary2: Quantum Tunneling
2.1 Introduction
2.2 Quantum Mechanics
2.3 Quantum Mechanical Tunneling
2.4 Solving the Tunneling Problem
2.4.1 Analytic Approximation Methods
2.4.2 Numerical Methods
2.5 Junction Breakdown Due to Tunneling
2.6 Tunnel Diode
2.7 Summary
3: Basics of Tunnel Field-Effect Transistors
3.1 Introduction
3.2 Device Structure
3.3 Operation
3.4 Transfer Characteristics
3.4.1 OFF-State
3.4.2 Subthreshold Region
3.4.3 Super-Threshold Region
3.5 Subthreshold Swing
3.6 Tunneling Current
3.7 Output Characteristics
3.7.1 Tunnel Resistance-Dominated Region. 3.7.2 Channel Resistance-Dominated Region3.7.3 Saturation Region
3.8 Threshold Voltage
3.9 Different Types of TFETs
3.10 Impact of Device Parameters
3.10.1 Gate Dielectric
3.10.2 Body Thickness
3.10.3 Source Doping Concentration and Profile
3.10.4 Channel Length
3.11 Ambipolar Current
3.12 Impact of Temperature
3.13 Promises and Limitations
3.14 Summary
4: Boosting ON-Current in Tunnel Field-Effect Transistor
4.1 Introduction
4.2 Types of Techniques to Boost ON-Current
4.3 Gate Engineering
4.3.1 Thickness and Dielectric Constant of Gate Oxide
4.3.2 Multiple Gates. 4.3.3 Spacer Engineering4.3.4 Asymmetric Gate Structures
4.3.5 Quality of Gate Oxide
4.4 Tunneling Junction Engineering
4.4.1 Source Doping
4.4.2 Tunneling Area
4.4.3 Heterojunctions
4.5 Materials Engineering
4.5.1 Germanium
4.5.2 III-V Semiconductors
4.5.3 Carbon
4.5.4 Nanowires
4.6 Strain Engineering
4.7 Summary
5: III-V Tunnel Field-Effect Transistor
5.1 Introduction
5.2 III-V Semiconductors
5.3 Challenges in III-V Materials-Based MOSFETs
5.4 A III-V TFET Prototype
5.5 Heterojunction III-V TFETs
5.6 Device Optimization in III-V TFETs
5.7 Gate Dielectric in III-V TFETs. 5.7.1 Processing Techniques5.7.2 Interface Material Engineering
5.7.3 Hybrid III-V/Silicon TFET
5.8 Tunneling Junction
5.9 Impact of Temperature
5.10 Challenges in p-Type III-V TFETs
5.11 Current State and Future Perspective
5.12 Summary
6: Carbon-Based Tunnel Field-Effect Transistor
6.1 Introduction
6.2 Carbon Nanotubes (CNTs)
6.3 CNT TFETs
6.3.1 Ballistic Transport
6.3.2 Quantum Capacitance
6.4 Device Optimization of CNT TFETs
6.5 Challenges and Future Perspectives of CNT TFETs
6.6 Graphene
6.7 Graphene TFETs
6.7.1 GNR-Based TFET
6.7.2 Bilayer-Graphene TFET.




نظرات کاربران